Infineon BSO615NGXUMA1
MOSFET（金属氧化物）逻辑电平门2 N-通道（双）60V2.6A150 毫欧 @ 2.6A，4.5V2V @ 20µA
比较BSO615NGXUMA1
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
￥7.28
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
60V Drain to Source Voltage (Vdss)
2.6A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
150mOhm @ 2.6A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2V @ 20µA Vgs(th) (Max) @ Id
20nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
380pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2W (Ta) Power - Max
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 最后售卖
技术: MOSFET（金属氧化物）
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 150 毫欧 @ 2.6A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2V @ 20µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 380pF @ 25V
最大功率: 2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装: PG-DSO-8
Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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