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BCR533E6327HTSA1

Infineon BCR533E6327HTSA1

NPN - 预偏压500 mA50 V

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BCR533E6327HTSA1
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

A range of bipolar junction transistors from Infineon equipped with integrated resistors allowing the devices to be directly driven from digital sources without additional components. Dual resistor devices have a series input resistor plus a resistor connected between the transistor base and emitter.

Features

Tape & Reel (TR) Package
500 mA Current - Collector (Ic) (Max)
50 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
10 kOhms Resistor - Base (R1)
10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2)
70 @ 50mA, 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300mV @ 2.5mA, 50mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100nA (ICBO) Current - Collector Cutoff (Max)
100 MHz Frequency - Transition
330 mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 最后售卖
晶体管类型: NPN - 预偏压
集电极电流 (Ic)(最大值): 500 mA
最大集电极-发射极击穿电压: 50 V
基极电阻器 (R1): 10 kOhms
发射器基极电阻器 (R2): 10 kOhms
直流电流增益 (hFE) 最小值 @ Ic、Vce: 70 @ 50mA,5V
基极电流和集电极电流下的最大集电极-发射极饱和电压: 300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA(ICBO)
频率 - 跃迁: 100 MHz
最大功率: 330 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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