
Infineon AUIRFS3107TRL
N 通道75 V195A(Tc)4V @ 250µA370W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型
比较AUIRFS3107TRL
MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK







¥29.12
价格更新:一个月前博斯克质量保证







产品详情
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
75 V Drain to Source Voltage (Vdss)
195A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
3mOhm @ 140A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
240 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
9370 pF @ 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
370W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
D2PAK Supplier Device Package
运输
运费
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- 包裹重量≤0.5kg的基本运费根据时区和国家而定。
运输方式
- 我们的产品目前使用DHL,顺丰和UPS运输。如果数量少,则选择联邦快递。
交付时间
- 一旦发货,预期交货时间跟选择的运输方式有所变动。
包装
1
准备产品

2
真空包装

3
防静电袋

4
单独包装

5
包装盒

6
条形码运输标签

博斯克的广阔全球航运和物流中心涵盖了近200,000平方英尺的仓储空间,确保从采购和检验到测试和安全发运的整个过程中,您的产品得到安全储存和细致处理。
产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 75 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 3 毫欧 @ 140A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 9370 pF @ 50 V
最大功率耗散: 370W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
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