
Infineon AUIRFP4568-E
N 通道150 V171A(Tc)5V @ 250µA517W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔
比较AUIRFP4568-E
MOSFET N-CH 150V 171A TO247AD







¥25.25
价格更新:一个月前博斯克质量保证







产品详情
Features
HEXFET® Seriesa 150V drain to source voltage (Vdss)
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
AUIRFP4568-E applications of single MOSFETs transistors.
- Lighting
- Uninterruptible Power Supply
- AC-DC Power Supply
- Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
- Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
- Micro Solar Inverter
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
运输
运费
- 起步价为$40,南非、巴西、印度、巴基斯坦、以色列等国家的价格会有所变动,详情请咨询相关客服人员。
- 包裹重量≤0.5kg的基本运费根据时区和国家而定。
运输方式
- 我们的产品目前使用DHL,顺丰和UPS运输。如果数量少,则选择联邦快递。
交付时间
- 一旦发货,预期交货时间跟选择的运输方式有所变动。
包装
1
准备产品

2
真空包装

3
防静电袋

4
单独包装

5
包装盒

6
条形码运输标签

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产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 171A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 5.9 毫欧 @ 103A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 227 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 10470 pF @ 50 V
最大功率耗散: 517W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247AD
封装/外壳: TO-247-3

Infineon Technologies
Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司,成立于1999年,总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案,服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
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