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分立半导体产品
单 FET，MOSFET
AUIRF540Z
AUIRF540Z

Infineon AUIRF540Z

N 通道100 V36A（Tc）4V @ 250µA92W（Tc）-55°C ~ 175°C（TJ）通孔

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Infineon Technologies
AUIRF540Z
MOSFET N-CH 100V 36A TO220AB
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Features

HEXFET® Series


  • Fast switching speed

  • Extremely low on-resistance per silicon area

  • Improved repetitive avalanche rating

  • A 175°C junction operating temperature

  • Available in the TO-220AB package



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Automotive applications


产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 管件
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 26.5 毫欧 @ 22A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1770 pF @ 25 V
最大功率耗散: 92W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
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Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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