所有分类
联系我们
中文
首页
所有分类
分立半导体产品
单 FET，MOSFET
AUIRF5210STRL
AUIRF5210STRL

Infineon AUIRF5210STRL

P 通道100 V38A（Tc）4V @ 250µA3.1W（Ta），170W（Tc）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

比较
Infineon Technologies
AUIRF5210STRL
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
AUIRF5210STRL 数据表(pdf)
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

￥35.70

价格更新：2025-03-11

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Features

HEXFET® Series


  • Advanced planar technology

  • Dynamic dV/dT rating

  • 175°C operating temperature

  • Fast switching

  • Fully Avalanche Rated

  • Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

  • Lead-free, RoHS compliant

  • Automotive qualified



D2PAK Supplier Device Package

Applications


  • Communications equipment

  • Broadband fixed-line access

  • Datacom module

  • Wired networking

  • Wireless infrastructure


产品属性
全选
型号系列: HEXFET®
包装: 卷带（TR）
部件状态: 不适用于新设计
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 60 毫欧 @ 38A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2780 pF @ 25 V
最大功率耗散: 3.1W（Ta），170W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相似零件：0
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

热门零件号

查看全部

实时新闻

查看全部

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

热门产品

01 / 02
10

所有产品零件号 0 - Z