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单 FET，MOSFET
2N7002L6327HTSA1
2N7002L6327HTSA1

Infineon 2N7002L6327HTSA1

N 通道60 V300mA（Ta）2.5V @ 250µA500mW（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型

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Infineon Technologies
2N7002L6327HTSA1
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

BENEFITS Low Offset Voltage Low-Voltage Operation Easily Driven Without Buffer High-Speed Circuits Low Error Voltage

APPLICATIONS Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers,   Displays, Memories, Transistors, etc. Battery Operated Systems Solid-State Relays

Features

OptiMOS™ Series
a 60V drain to source voltage (Vdss)

Surface Mount Mounting Type

Applications


There are a lot of Infineon Technologies
2N7002L6327HTSA1 applications of single MOSFETs transistors.

  • LCD/LED TV
  • Consumer Appliances
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supply
  • AC-DC Power Supply
  • Synchronous Rectification for ATX 1 Server I Telecom PSU
  • Motor drives and Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverter
  • DC/DC converters
  • Power Tools
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MOSFET N-CH 60V 310MA SC70

￥0.49比较
产品属性
全选
型号系列: OptiMOS™
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 300mA（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 3 欧姆 @ 500mA，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 20 pF @ 25 V
最大功率耗散: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT23-PO
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
相似零件：0
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies是一家全球领先的半导体公司，成立于1999年，总部位于德国慕尼黑。公司专注于提供高性能的功率半导体、传感器和微控制器解决方案，服务于汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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