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STGWT60H65DFB

ST STGWT60H65DFB

650 V80 A1.09mJ(开),626µJ(关)-55°C ~ 175°C(TJ)TO-3P-3,SC-65-3

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STGWT60H65DFB
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
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博斯克质量保证

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产品详情

Features

Tube Package
Trench Field Stop IGBT Type
650 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 A Current - Collector (Ic) (Max)
240 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2V @ 15V, 60A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
375 W Power - Max
1.09mJ (on), 626µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
306 nC Gate Charge
51ns/160ns Td (on/off) @ 25°C
400V, 60A, 5Ohm, 15V Test Condition
60 ns Reverse Recovery Time (trr)
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 650 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 240 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2V @ 15V,60A
最大功率: 375 W
开关能量: 1.09mJ(开),626µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 306 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 51ns/160ns
测试条件: 400V,60A,5 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 60 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3P
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

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收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

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配件发货: 25M+

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制造商: 950

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