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STGW40N120KD

ST STGW40N120KD

1200 V80 A3.7mJ(开),5.7mJ(关)-55°C ~ 125°C(TJ)TO-247-3

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STGW40N120KD
IGBT 1200V 80A 240W TO247
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The STGW40N120KD is a 1200V short-circuit Rugged IGBT with ultrafast diode that utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behaviour. Improved switch-off energy spread versus increasing temperature result in reduced switching losses.

Features

PowerMESH™ Series


  • Low on-losses

  • High current capability

  • Low gate charge

  • Short circuit withstand time 10 μs

  • IGBT co-packaged with Ultrafast free-wheeling diode

  • ROHS3 Compliant

  • No SVHC

  • Lead Free



Through Hole Mounting Type

Applications


  • Motor control

  • New Energy Vehicle

  • Photovoltaic Generation

  • Wind Power Generation

  • Smart Grid


产品属性
全选
型号系列: PowerMESH™
包装: 管件
部件状态: 停产
最大集电极-发射极击穿电压: 1200 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 3.85V @ 15V,30A
最大功率: 240 W
开关能量: 3.7mJ(开),5.7mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 126 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 48ns/338ns
测试条件: 960V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 84 ns
工作温度: -55°C ~ 125°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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