ST STGW40H60DLFB
600 V80 A363µJ（关）-55°C ~ 175°C（TJ）TO-247-3
比较STGW40H60DLFB
IGBT 600V 80A 283W TO-247
￥3.55
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
Tube PackageTrench Field Stop IGBT Type
600 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 A Current - Collector (Ic) (Max)
160 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2V @ 15V, 40A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
283 W Power - Max
363µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
210 nC Gate Charge
400V, 40A, 10Ohm, 15V Test Condition
Through Hole Mounting Type
运输
包装
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IGBT 600V 60A 200W TO247
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)（最大值）: 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 160 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2V @ 15V，40A
最大功率: 283 W
开关能量: 363µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 210 nC
25°C 时的开/关延迟时间: -/142ns
测试条件: 400V，40A，10 欧姆，15V
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
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