ON NTHD3102CT1G
MOSFET（金属氧化物）逻辑电平门N 和 P 沟道20V4A，3.1A45 毫欧 @ 4.4A，4.5V1.2V @ 250µA
比较NTHD3102CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
￥5.40
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
Logic Level Gate FET Feature? Complementary N?Channel and P?Channel MOSFET
? Small Size, 40% Smaller than TSOP?6 Package
? Leadless SMD Package Provides Great Thermal Characteristics
? Leading Edge Trench Technology for Low On Resistance
? Reduced Gate Charge to Improve Switching Response
? This is a Pb?Free Device
Applications
? DC?DC Conversion Circuits
? Load/Power Switching
? Single or Dual Cell Li?Ion Battery Supplied Devices
? Ideal for Power Management Applications in Portable, Battery
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运输
包装
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产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
技术: MOSFET（金属氧化物）
FET 功能: 逻辑电平门
配置: N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）: 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A，3.1A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 45 毫欧 @ 4.4A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.2V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 510pF @ 10V
最大功率: 1.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD，扁平引线
供应商器件封装: ChipFET™
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
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配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
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