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HUFA76504DK8T

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MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)80V200 毫欧 @ 2.5A,10V3V @ 250µA

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HUFA76504DK8T
MOSFET 2N-CH 80V 8-SOIC
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产品详情

Overview

The HUFA76439S3S is MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK manufactured by FAIRCHILD. The HUFA76439S3S is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK, N-Channel 60V 75A (Tc) 155W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263AB), Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB.

The HUFA76443S3S is MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK manufactured by FSC. The HUFA76443S3S is available in TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK, N-Channel 60V 75A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount D?PAK (TO-263AB), Trans MOSFET N-CH 60V 75A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB.

Features

UltraFET™ Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
80V Drain to Source Voltage (Vdss)
200mOhm @ 2.5A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
10nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
270pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.5W Power - Max
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: UltraFET™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 80V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 200 毫欧 @ 2.5A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 270pF @ 25V
最大功率: 2.5W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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