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FDR8508P

ON FDR8508P

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 个 P 沟道(双)30V3A52 毫欧 @ 3A,10V3V @ 250µA

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onsemi
FDR8508P
MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The FDR842P is MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8 manufactured by FAIRCHILD. The FDR842P is available in 8-SSOT, SuperSOT-8 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8, P-Channel 12V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT?-8.

The FDR844P is MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8 manufactured by KEXIN. The FDR844P is available in 8-SSOT, SuperSOT-8 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8, P-Channel 20V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT?-8.

Features

PowerTrench® Series


  • Low entrance fee (8nC typical).

  • Extremely high performance trench technology

  • High capacity for managing current and power.

  • Low profile packaging (1 mm thick), tiny footprint (38 percent smaller than a normal SO-8), and power handling capacity comparable to SO-8



Surface Mount Mounting Type

Applications


? Charge switch


? Converter DC/DC


? Driving a car


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 个 P 沟道(双)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 52 毫欧 @ 3A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 750pF @ 15V
最大功率: 800mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)
供应商器件封装: SuperSOT™-8
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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