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JANTX2N3700

Microsemi JANTX2N3700

NPN1 A80 V

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JANTX2N3700
TRANS NPN 80V 1A TO18
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The Jantx2N3637 is Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor manufactured by Microsemi. The Jantx2N3637 is available in TO-39 Package, is part of the Transistors - Bipolar (BJT) - RF, , and with support for Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor, Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-5, Trans GP BJT PNP 175V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box.

The JANTX2N3637UB is Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor manufactured by Microsemi. is part of the Transistors - Bipolar (BJT) - RF, , and with support for Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor, Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1.5W Surface Mount 3-SMD, Trans GP BJT PNP 175V 1A 3-Pin UB.

Features

Bulk Package
the DC current gain for this device is 50 @ 500mA 10V
the vce saturation(Max) is 500mV @ 50mA, 500mA
the emitter base voltage is kept at 7V
a transition frequency of 100MHz

Through Hole Mounting Type

Applications


There are a lot of Microsemi Corporation
JANTX2N3700 applications of single BJT transistors.

  • Inverter
  • Interface
  • Driver
  • Muting
产品属性
全选
型号系列: Military, MIL-PRF-19500/391
包装: 散装
部件状态: 在售
晶体管类型: NPN
集电极电流 (Ic)(最大值): 1 A
最大集电极-发射极击穿电压: 80 V
基极电流和集电极电流下的最大集电极-发射极饱和电压: 500mV @ 50mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 10nA
直流电流增益 (hFE) 最小值 @ Ic、Vce: 50 @ 500mA,10V
最大功率: 500 mW
工作温度: -65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-206AA,TO-18-3 金属罐
供应商器件封装: TO-18(TO-206AA)
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation是一家提供高性能半导体和系统解决方案的公司,专注于通信、国防与安全、航空和工业市场。公司成立于1959年,总部位于美国加利福尼亚州阿利索维耶荷。Microsemi于2018年被Microchip Technology收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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