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APT20M19JVR

Microsemi APT20M19JVR

N 通道200 V112A(Tc)4V @ 1mA500W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)底座安装

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APT20M19JVR
MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The APT20M16LLLG is Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264 manufactured by APT. The APT20M16LLLG is available in TO-264 Package, is part of the IC Chips, , and with support for Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-264.

APT20M18LVR with circuit diagram manufactured by APT. The APT20M18LVR is available in TO-264 Package, is part of the IC Chips.

Features

POWER MOS V® Series
Tube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
200 V Drain to Source Voltage (Vdss)
112A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
19mOhm @ 500mA, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
495 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±30V Vgs (Max)
11640 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
500W (Tc) Power Dissipation (Max)
Chassis Mount Mounting Type
ISOTOP® Supplier Device Package
产品属性
全选
型号系列: POWER MOS V®
包装: 管件
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 112A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 19 毫欧 @ 500mA,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 495 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 11640 pF @ 25 V
最大功率耗散: 500W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: ISOTOP®
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation是一家提供高性能半导体和系统解决方案的公司,专注于通信、国防与安全、航空和工业市场。公司成立于1959年,总部位于美国加利福尼亚州阿利索维耶荷。Microsemi于2018年被Microchip Technology收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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