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2N3810

Microsemi 2N3810

2 PNP(双)50mA60V

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2N3810
TRANS 2PNP 60V 0.05A TO-78
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The 2N3807 is Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6 manufactured by MOT. The 2N3807 is available in CAN6 Package, is part of the IC Chips, , and with support for Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6.

The 2N3809 is Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6 manufactured by MOTOROLA. The 2N3809 is available in MODULE Package, is part of the Module, , and with support for Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 100MHz 600mW Through Hole TO-78-6.

Features

Bulk Package
2 PNP (Dual) Transistor Type
50mA Current - Collector (Ic) (Max)
60V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250mV @ 100µA, 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
10µA (ICBO) Current - Collector Cutoff (Max)
150 @ 1mA, 5V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
350mW Power - Max
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 在售
晶体管类型: 2 PNP(双)
集电极电流 (Ic)(最大值): 50mA
最大集电极-发射极击穿电压: 60V
基极电流和集电极电流下的最大集电极-发射极饱和电压: 250mV @ 100µA,1mA
电流 - 集电极截止(最大值): 10µA(ICBO)
直流电流增益 (hFE) 最小值 @ Ic、Vce: 150 @ 1mA,5V
最大功率: 350mW
工作温度: -65°C ~ 200°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-78-6 金属罐
供应商器件封装: TO-78-6
Microsemi Corporation

Microsemi Corporation

Microsemi Corporation是一家提供高性能半导体和系统解决方案的公司,专注于通信、国防与安全、航空和工业市场。公司成立于1959年,总部位于美国加利福尼亚州阿利索维耶荷。Microsemi于2018年被Microchip Technology收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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