制造商
- Adesto Technologies
- AMD
- Analog Devices Inc.
- Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- Asahi Kasei Microdevices/AKM
- Atmel
- Cypress Semiconductor Corp
- Dallas Semiconductor
- Fairchild Semiconductor
- Freescale Semiconductor
- Fujitsu
- Fujitsu Semiconductor Memory Solution
- GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- IDT, Integrated Device Technology Inc.
- Infineon Technologies
- Intel
- Intersil
- ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.
- Microchip Technology
- Micron Technology Inc.
- National Semiconductor
- NXP Semiconductors
- NXP USA Inc.
- onsemi
- Ramtron
- Renesas
- Renesas Design Germany GmbH
- Renesas Electronics America Inc.
- Renesas Electronics Operations Services Limited
- SAMSUNG
- Samsung Semiconductor, Inc.
- SK Hynix
- Spansion
- SST Silicon Storage Technology, Inc
- STMicroelectronics
- Texas Instruments
- Vishay Sfernice
- Vishay Sprague
- Vishay Vitramon
- Winbond Electronics
型号系列
- *
- -
- 10415
- 24CW
- 25CS
- 27960Kx
- 27C64
- 28F002BC
- 28F004Bx
- 28F008
- 28F008B3
- 28F256
- 4720B
- 54F
- 74F
- 93425DMQB40
- 93L425
- AL-J
- AS-J
- Atmel® AT27C010
- Automotive, AEC-Q100
- Automotive, AEC-Q100, AL-J
- Automotive, AEC-Q100, Excelon™-Auto, F-RAM™
- Automotive, AEC-Q100, F-RAM™
- Automotive, AEC-Q100, FL-L
- Automotive, AEC-Q100, FL-P
- Automotive, AEC-Q100, FL-S
- Automotive, AEC-Q100, FL1-K
- Automotive, AEC-Q100, FS-S
- Automotive, AEC-Q100, GL-N
- Automotive, AEC-Q100, GL-S
- Automotive, AEC-Q100, GL-T
- Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KL
- Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ KS
- Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL
- Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KS
- Automotive, AEC-Q100, JL-J
- Automotive, AEC-Q100, ML-1
- Automotive, AEC-Q100, ML-2
- Automotive, AEC-Q100, MoBL®
- Automotive, AEC-Q100, MS-1
- Automotive, AEC-Q100, MS-2
- Automotive, AEC-Q100, SST25
- Automotive, AEC-Q100, SST26 SQI®
- Automotive, AEC-Q101
- Automotive, AEC-Q104
- Axcell™
- CAT25040
- CAT25640
- CAT25C128
- CAT28C17A
- CAT28LV256
- CAT28LV65
- CAT64LC40
- CAT93C76
- CD-J
- CL-J
- CY7C136
- e.MMC 1B1
- ETOX™
- ETOX™ VI
- ETOX™ VII
- Excelon™-LP,F-RAM™
- Excelon™-LP、F-RAM™
- Excelon™-Ultra, F-RAM™
- e•MMC™
- F-RAM™
- FL-G
- FL-L
- FL-P
- FL-S
- FL1-K
- FL2-K
- FlashFile™
- Forté™
- FS-S
- FS-T
- FullFlex™
- GD25B
- GD25D
- GD25F
- GD25LB
- GD25LD
- GD25LE
- GD25LF
- GD25LQ
- GD25LR
- GD25LT
- GD25LX
- GD25Q
- GD25R
- GD25S
- GD25T
- GD25UF
- GD25WB
- GD25WD
- GD25WQ
- GD25WR
- GD25X
- GD55B
- GD55LB
- GD55LT
- GD55LX
- GD55T
- GD55WB
- GD55WR
- GD55X
- GD5F
- GD9A
- GD9F
- GL-N
- GL-P
- GL-S
- GL-T
- HL-T
- HS-T
- HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
- HyperFlash™ KL
- HyperFlash™ KS
- HYPERRAM
- HyperRAM™ KL
- HyperRAM™ KS
- iButton®
- JL-J
- M2114A
- M2716
- M28F010
- M28F020
- maxTouch®
- MF28F010
- ML-1
- ML-2
- ML-3
- MoBL2™
- MoBL®
- MS-1
- MS-2
- MT28F010
- NoBL™
- NS-P
- Numonyx™
- Omneo™
- PL-J
- QDR®
- QDR™
- R1EV5801MB
- R1EV58064BxxN
- R1EV58064BxxR
- R1EV58256BxxN
- R1EV58256BxxR
- R1EX24xxx
- R1EX25xxx
- R1LP0408D
- R1LP5256E
- R1LV0108E
- R1LV1616HBG-I
- R1LV1616HSA-I
- R1RW0416DI
- RMLV1616A
- SEMPER™
- Semper™
- SpiFlash®
- SST25
- SST26 SQI®
- SST38
- SST39 MPF™
- SST49
- StrataFlash™
- SYNCBURST™
- TwinDie™
- VS-R
- WS-P
- WS-R
- Xccela™ - MT35X
- XS-R
- ZBT®
- 光盘J
- 双模™
- 森帕™
- 汽车、AEC-Q100、HyperFlash™ + HyperRAM™ KL
- 诺BL™
- 马夫里克
包装
- -
- 切带 (CT)
- 剪切带(CT)
- 包
- 卷带(TR)
- 大部分
- 带
- 带盒(TB)
- 托盘
- 散装
- 盒
- 盒子
- 磁带
- 管件
- 管子
- 袋
部件状态
- 不适用于新设计
- 停产
- 停产于
- 停止提供
- 在售
- 最后一次购买
- 最后售卖
- 积极的
- 终止于
- 过时的
存储器类型
- -
- 易失
- 易挥发的
- 非挥发性
- 非挥发性、挥发性
- 非易失
- 非易失性,易失性
存储器格式
- -
- CAM
- CBRAM®
- DRAM
- EEPROM
- EERAM
- EPROM
- FLASH,RAM
- FRAM
- NVSRAM
- PCM(PRAM)
- PROM
- PSRAM
- RAM
- SRAM
- 动态随机存取存储器
- 铁电存储器
- 闪光
- 闪存
- 闪存、内存
- 静态随机存储器
- 非静态随机存储器
技术
- -
- CAM
- CBRAM
- DRAM
- DRAM - EDO
- DRAM - FP
- EEPROM
- EEPROM,SRAM
- EPROM - OTP
- EPROM - UV
- FLASH - NAND(MLC)
- FLASH - NAND(pSLC)
- FLASH - NAND(SLC)
- FLASH - NAND(SLC),DRAM - LPDDR4
- FLASH - NAND(TLC)
- FLASH - NAND,DRAM - LPDDR2
- FLASH - NAND,DRAM - LPDDR3
- FLASH - NAND,DRAM - LPDDR4
- FLASH - NAND,DRAM - LPDDR4X
- FLASH - NOR
- flash - nor (mlc)
- FLASH - NOR, PSRAM
- FLASH - NOR(SLC)
- FLASH - NOR,DRAM - LPDDR2
- FLASH - NOR,Mobile LPDDR SDRAM
- FLASH - 引导块
- FLASH,PSRAM
- FLASH,RAM
- FLASH,SRAM
- FRAM(铁电RAM)
- FRAM(铁电体 RAM)
- LLDRAM
- LLDRAM2
- MRAM(磁阻式 RAM)
- NVSRAM(非易失性 SRAM)
- PCM - LPDDR2,MCP - LPDDR2
- PCM(PRAM)
- PSRAM(伪 SRAM)
- RAM
- RLDRAM 2
- RLDRAM 3
- SARAM
- SDRAM
- SDRAM - DDR
- SDRAM - DDR2
- SDRAM - DDR3
- SDRAM - DDR3L
- SDRAM - DDR4
- SDRAM - DDR5
- SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
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- SDRAM - Mobile LPDDR4
- SDRAM - 移动
- SDRAM - 移动 LPDDR
- SDRAM - 移动 LPDDR2
- SDRAM - 移动 LPDDR2-S4
- SDRAM - 移动 LPDDR2-S4B
- SDRAM - 移动 LPDDR3
- SDRAM - 移动 LPDDR4
- SDRAM - 移动 LPDDR4X
- SDRAM - 移动 LPDDR5
- SDRAM - 移动 LPDDR5X
- SDRAM - 移动 LPSDR
- SDRAM - 移动LPSDR
- SDRAM-DDR
- SDRAM-DDR2
- SDRAM-DDR3
- SDRAM-DDR3L
- SDRAM-DDR4
- SDRAM-DDR5
- SGRAM - GDDR5
- SGRAM - GDDR6
- SGRAM-GDDR6
- SRA - MZBT
- SRAM
- SRAM - Asynchronous, ZBT
- SRAM - DDR2
- SRAM - Dual Port
- SRAM - Dual Port, Asynchronous, Standard
- SRAM - Standard
- SRAM - ZBT
- SRAM - 单端口、同步、ZBT
- SRAM - 单端口,异步
- SRAM - 双端口
- SRAM - 双端口,MoBL
- SRAM - 双端口,同步
- SRAM - 双端口,同步 QDR II
- SRAM - 双端口,异步
- SRAM - 双端口,标准
- SRAM - 同步
- SRAM - 同步、DDR
- SRAM - 同步、DDR II
- SRAM - 同步、QDR
- SRAM - 同步、SDR
- SRAM - 同步、SDR (ZBT)
- SRAM - 同步,DDR
- SRAM - 同步,DDR II
- SRAM - 同步,DDR II+
- SRAM - 同步,DDR IIP
- SRAM - 同步,QDR
- SRAM - 同步,QDR II
- SRAM - 同步,QDR II+
- SRAM - 同步,QDR IV
- SRAM - 同步,QUAD
- SRAM - 同步,QUADP
- SRAM - 同步,SDR
- SRAM - 同步,SDR(ZBT)
- SRAM - 同步,ZBT
- SRAM - 同步,标准
- SRAM - 四端口,同步
- SRAM - 四端口,异步
- SRAM - 异步
- TCAM
- 内存
- 超级RAM
- 超级闪存
- 超闪存
- 闪光
- 闪存
- 闪存 - NAND
- 闪存 - NAND (MLC)
- 闪存 - NAND (SLC)
- 闪存 - NAND (TLC)
- 闪存 - NAND、DRAM - LPDDR
- 闪存 - NAND、DRAM - LPDDR2
- 闪存 - NAND、闪存 - NOR
- 闪存 - NAND,移动 LPDRAM
- 闪存 - NOR
- 闪存 - NOR (MLC)
- 闪存 - NOR (SLC)
- 闪存-NAND
- 闪存、DRAM
- 闪存、PSRAM
- 静态随机存储器
存储容量
- -
- 1.125Gb
- 1.125Mb
- 1.125Tb
- 1.152Gb
- 1.152Mb
- 1.152Mbit
- 1.25Kb
- 1.5Kb
- 1.5Tb
- 128 比特
- 128Gb
- 128Gbit
- 128Gbit (NAND), 8Gbit (LPDDR3)
- 128Kb
- 128Kbit
- 128Mb
- 128Mbit
- 128Mbit (FLASH), 32Mbit (RAM)
- 128Mbit(闪存-NOR)、1Gbit(闪存-NAND)
- 128Mbit(闪存)、32Mbit(RAM)
- 128Mb(闪存),512Mb(DRAM)
- 128Mb(闪存),64Mb(RAM)
- 12Gb
- 12Mb
- 12兆位
- 144Kb
- 144Mb
- 144兆比特
- 16bit
- 16Gb
- 16Gbit
- 16Kb
- 16Kbit
- 16Mb
- 16Mbit(闪存-NOR)、1Gbit(闪存-NAND)
- 16Mb(闪存),4Mb(RAM)
- 16兆比特
- 18 千比特
- 18Mb
- 18兆比特
- 1Gb
- 1Gbit
- 1Gbit (NAND)、1Gbit (LPDDR2)
- 1Gbit (NAND)、512Mbit (LPDDR2)
- 1Gb(NAND),1Gb(LPDRAM)
- 1Gb(NAND),256Mb(LPDRAM)
- 1Gb(NAND),512Mb(LPDDR2)
- 1Gb(NAND),512Mb(LPDRAM)
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- 1Mb
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- 1兆比特
- 2.25Mb
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- 20Mbit
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- 24Gbit
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- 2Gbit
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- 2Gb(NAND),2Gb(LPDDR2)
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- 2Mb
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- 2Tb(NAND),64Gb(LPDDR4X)
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- 48Gbit
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- 4Kb
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- 4Mb
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- 512 位
- 512Gb
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- 512Mbit (FLASH), 128Mbit (RAM)
- 512Mbit (FLASH), 512Mbit (RAM)
- 512Mbit(FLASH),64Mbit(RAM)
- 512Mbit(闪存)、128Mbit(PSRAM)
- 512兆比特
- 576Kb
- 576Kbit
- 576Mb
- 64 比特
- 64Gb
- 64Gbit
- 64Gb(NAND),8Gb(LPDDR3)
- 64Kb
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- 64Mbit(闪存)、64Mbit(RAM)
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- 6Gb
- 6Mb
- 6Tb
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- 72Kbit
- 72Mb
- 72兆比特
- 768Gb
- 896 比特
- 8Gb
- 8Gbit
- 8Gb(NAND),2Gb(LPDRAM)
- 8Gb(NAND),4Gb(LPDRAM)
- 8Gb(NAND),8Gb(LPDDR4)
- 8Kb
- 8Kbit
- 8Mb
- 8Tb
- 8兆比特
- 96Gb
- 96Gbit
- 9Mb
- 9兆比特
存储器组织
- -
- 1.5G x 32
- 1.5G x 64
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- 64 x 16
- 64 字节 页面大小
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存储器接口
- -
- 1-Wire®
- 3 线串口
- CFI
- CUI
- eMMC
- eMMC_4.5
- eMMC_5
- eMMC_5.1
- HSTL
- HSUL_12
- HyperBus
- I2C
- I2C,单线
- I²C
- I²C,单线
- LVCMOS
- LVSTL
- LVSTL_06
- LVSTL_11
- LVTTL
- Microwire
- MMC
- MMC,LPDRAM
- ONFI
- POD
- POD125
- POD_11
- POD_12
- POD_135
- SPI
- SPI - 八 I/O
- SPI - 八路 I/O
- SPI - 八路 I/O、DTR
- SPI - 双 I/O
- SPI - 四 I/O
- SPI - 四 I/O,QPI
- SPI - 四 I/O,QPI,DTR
- SPI - 四 I/O,SDI,DTR
- SPI - 四路 I/O
- SPI - 四路 I/O、DTR
- SPI - 四路 I/O、QPI
- SPI - 四路 I/O、QPI、DTR
- SPI - 四路 I/O,SDI
- SPI,QPI
- SSTL_15
- SSTL_18
- SSTL_2
- UFS
- UFS 3.1
- UFS 4.0
- UFS2.1
- UFS2.2
- Xccela 总线
- xSPI - 八路 I/O
- 串行
- 单线
- 多媒体卡
- 左心室TTL
- 左心室舒张末期长度
- 平行线
- 并联
- 并联,SPI
- 微丝
- 网络FI 1.0
- 荚
- 超级总线
电源电压
- -
- 0.9V ~ 3.6V
- 1.01V~1.12V
- 1.05V
- 1.06V ~ 1.17V
- 1.06V ~ 1.17V,1.7V ~ 1.95V
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- 1.14V ~ 1.3V,1.7V ~ 1.95V
- 1.14V ~ 1.95V
- 1.14V~1.26V
- 1.14V~1.3V
- 1.14V~1.3V、1.7V~1.95V
- 1.14V~1.95V
- 1.17 伏 ~ 1.23 伏,1.14 伏 ~ 1.26 伏
- 1.1V
- 1.1V ~ 1.3V
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- 1.42V~1.58V、1.7V~1.9V
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- 1.7V ~ 1.9V,2.4V ~ 2.6V,2.7V ~ 3.3V
- 1.7V ~ 1.9V,2.4V ~ 2.6V,3V ~ 3.6V
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- 4.5 伏 ~ 5.25 伏,4.75 伏 ~ 5.5 伏
- 4.5V ~ 12.5V
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- 4.75V ~ 5.5V
- 4.75V~5.25V
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产品 - 记录(s)

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Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP

6116LA45DB
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP

6116SA120TDB
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IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP

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IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA

71V416YS10PHG
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IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

71V632S6PFG
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IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP

71V35761S200BGG
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IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA

71V25761YS200PFG
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IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP

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IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

71V3577YS85PFG
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP

71V35761S200BG
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA

71V35761S200BGGI
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA

6116SA150DB
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IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24CDIP

71V016SA15YGI
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IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

71V016SA12YGI
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ

71V124SA15TYGI
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IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ

6116SA25TPG
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IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

71V67602S150PFGI
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

6116LA20TPGI
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24DIP

71V3577S80PFG
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

71V424L10PHG
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

71V124SA10PHGI
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II

71V256SA20PZG
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28TSOP

71V424S12YG
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

71V256SA15YGI
Renesas Electronics America Inc.
IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ