ON NTMD6N03R2G
MOSFET（金属氧化物）逻辑电平门2 N-通道（双）30V6A32 毫欧 @ 6A，10V2.5V @ 250µA
比较NTMD6N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
￥1.52
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
MOSFET (Metal Oxide) Technology? Designed for use in low voltage, high speed switching applications
? Ultra Low On?Resistance Provides
Higher Efficiency and Extends Battery Life
? RDS(on) = 0.024 , VGS = 10 V (Typ)
? RDS(on) = 0.030 , VGS = 4.5 V (Typ)
? Miniature SOIC?8 Surface Mount Package Saves Board Space
? Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
? Diode Exhibits High Speed, with Soft Recovery
? AEC Q101 Qualified ? NVMD6N03R2
? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant
Surface Mount Mounting TypeApplications
NTMD6N03R2G Applications
? DC?DC Converters
? Computers
? Printers
? Cellular and Cordless Phones
? Disk Drives and Tape Drives
运输
包装
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MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
技术: MOSFET（金属氧化物）
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 32 毫欧 @ 6A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 950pF @ 24V
最大功率: 1.29W
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装: 8-SOIC
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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