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MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 个 P 沟道(双)20V1.3A200 毫欧 @ 2A,4.5V1V @ 250µA

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MOSFET 2P-CH 20V 1.3A 6UDFN
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Power MOSFET−20 V, −2.1 A, µCool™ Dual P−Channel,ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology


? Complementary N and P Channel Device

? Leading ?8.0 V Trench for Low RDS(on) Performance

? ESD Protected Gate ? ESD Rating: Class 1

? SC?88 Package for Small Footprint (2 x 2 mm)

? Pb?Free Packages are Available


Surface Mount Mounting Type

Applications


? DC?DC Conversion

? Load/Power Switching

? Single or Dual Cell Li?Ion Battery Supplied Devices

? Cell Phones, MP3s, Digital Cameras, PDAs

 


产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 个 P 沟道(双)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.3A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 200 毫欧 @ 2A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 300pF @ 10V
最大功率: 500mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: 6-UDFN(1.6x1.6)
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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