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NTJD4401NT1G

ON NTJD4401NT1G

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)20V630mA375 毫欧 @ 630mA,4.5V1.5V @ 250µA

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NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 630MA SOT363
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This N-Channel dual device was designed with a small footprint package (2x2 mm) with ON Semiconductor's leading planar process for small footprint and increased efficiency.The low figure of merit is particularly suited for single or dual cell Li-Ion battery supplied devices such as cell phones, media players, digital cameras, and PDAs.

Features

MOSFET (Metal Oxide) Technology


? Small Footprint (2 x 2 mm)

? Low Gate Charge N?Channel Device

? ESD Protected Gate

? Same Package as SC?70 (6 Leads)

? AEC?Q101 Qualified and PPAP Capable ? NVJD4401N

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Surface Mount Mounting Type

Applications

   NTJD4401NT1G                 Applications


? Load Power Switching

? Li?Ion Battery Supplied Devices

? Cell Phones, Media Players, Digital Cameras, PDAs

? DC?DC Conversion

 




产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 630mA
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 375 毫欧 @ 630mA,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 46pF @ 20V
最大功率: 270mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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