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FGA40T65SHDF

ON FGA40T65SHDF

650 V80 A1.22mJ(开),440µJ(关)-55°C ~ 175°C(TJ)TO-3P-3,SC-65-3

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onsemi
FGA40T65SHDF
IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

Features

Tube Package

Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC

Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating

High Current Capability

Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.45 V ( Typ.) @ IC = 40 A

100% of the Parts tested for ILM(1)

High Input Impedance

Fast Switching

Tighten Parameter Distribution

RoHS Compliant



Through Hole Mounting Type

Applications

Induction Heating, MWO





产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 650 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 1.81V @ 15V,40A
最大功率: 268 W
开关能量: 1.22mJ(开),440µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 68 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 18ns/64ns
测试条件: 400V,40A,6 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 101 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装: TO-3PN
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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