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FDR8305N

ON FDR8305N

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)20V4.5A22 毫欧 @ 4.5A,4.5V1.5V @ 250µA

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FDR8305N
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The FDR6674A is MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8 manufactured by FAIRCHILD. The FDR6674A is available in 8-SSOT, SuperSOT-8 Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8, N-Channel 30V 11.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT?-8.

FDR6678A with circuit diagram manufactured by FSC. The FDR6678A is available in VSOP8 Package, is part of the IC Chips.

Features

PowerTrench® Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
4.5A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
22mOhm @ 4.5A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
23nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1600pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 22 毫欧 @ 4.5A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1600pF @ 10V
最大功率: 800mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)
供应商器件封装: SuperSOT™-8
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

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配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

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