NXP MRF8S23120HR5
LDMOS2.3GHz16dB28 V800 mA28W
比较MRF8S23120HR5
POWER, N-CHANNEL, MOSFET
￥517.29
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
The MRF8S23120HR3 and MRF8S23120HSR3 are designed for LTE base station applications with frequencies from 2300 to 2400 MHz. Can be used in Class AB and Class C for all typical cellular base station modulation formats.
Features
Bulk PackageLDMOS Technology
2.3GHz Frequency
16dB Gain
28 V Voltage - Test
800 mA Current - Test
28W Power - Output
65 V Voltage - Rated
Chassis Mount Mounting Type
运输
包装
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产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 停产
技术: LDMOS
频率: 2.3GHz
增益: 16dB
测试电压: 28 V
电流 - 测试: 800 mA
输出功率: 28W
额定电压: 65 V
封装/外壳: SOT-957A
供应商器件封装: NI-780H-2L
安装类型: 底座安装
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.是NXP Semiconductors在美国的子公司，负责设计、研发、制造和销售半导体产品。公司在德克萨斯州奥斯汀和亚利桑那州钱德勒设有晶圆制造设施，专注于为汽车、工业和通信市场提供高性能解决方案。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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