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产品详情
Overview
N-channel symmetrical planar epitaxial junction Field-Effect Transistor in a SOT23 package.
Features
Tape & Reel (TR) Package25 V Drain to Source Voltage (Vdss)
1 mA @ 10 V Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
10 mA Current Drain (Id) - Max
2.5 V @ 0.5 nA Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id
4pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250 mW Power - Max
150°C (TJ) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
漏源电压（Vdss）: 25 V
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss): 1 mA @ 10 V
漏极电流 (Id) - 最大值: 10 mA
栅极-源极关态电压和漏极电流时的截止电压: 2.5 V @ 0.5 nA
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 4pF @ 10V
最大功率: 250 mW
工作温度: 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23（TO-236AB）
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.是NXP Semiconductors在美国的子公司，负责设计、研发、制造和销售半导体产品。公司在德克萨斯州奥斯汀和亚利桑那州钱德勒设有晶圆制造设施，专注于为汽车、工业和通信市场提供高性能解决方案。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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