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A2I25H060GNR1

NXP A2I25H060GNR1

LDMOS2.59GHz26.1dB28 V26 mA10.5W

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NXP USA Inc.
A2I25H060GNR1
IC TRANS RF LDMOS
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

The A2I25H060GNR1 wideband integrated circuit is an asymmetrical Doherty designed with on-chip matching that makes it usable from 2300 to 2690 MHz. This multi-stage structure is rated for 20 to 32 V operation and covers all typical cellular base station modulation formats.

Features

LDMOS Technology


  • Doherty High Performance Advanced In-Package

  • Matching on-Chip (DC Blocked, 50 Ohm Input)

  • Integrated Quiescent Current Temperature Compensation and the Enable/Disable Function (2)

  • Digital Predistortion Error Correction Systems incorporate this technology



Surface Mount Mounting Type

Applications


Switching applications


产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
技术: LDMOS
频率: 2.59GHz
增益: 26.1dB
测试电压: 28 V
电流 - 测试: 26 mA
输出功率: 10.5W
额定电压: 65 V
封装/外壳: TO-270-17 变型,鸥翼
供应商器件封装: TO-270WBG-17
配置: 双
安装类型: 表面贴装型
NXP USA Inc.

NXP USA Inc.

NXP USA Inc.是NXP Semiconductors在美国的子公司,负责设计、研发、制造和销售半导体产品。公司在德克萨斯州奥斯汀和亚利桑那州钱德勒设有晶圆制造设施,专注于为汽车、工业和通信市场提供高性能解决方案。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z