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FQPF9N25C

Fairchild FQPF9N25C

N 通道250 V8.8A(Tc)4V @ 250µA38W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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FQPF9N25C
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Fairchild Semiconductor’s new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Features

QFET® Series


  • 8.8A, 250V, RDS(on) = 430mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4.4A

  • Low gate charge ( Typ. 26.5nC)

  • Low Crss ( Typ. 45.5pF)

  • 100% avalanche tested



Through Hole Mounting Type

Applications


  • LED TV

  • PDP TV


产品属性
全选
型号系列: QFET®
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.8A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 430 毫欧 @ 4.4A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 710 pF @ 25 V
最大功率耗散: 38W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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