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FDU6N25

Fairchild FDU6N25

N 通道250 V4.4A(Tc)5V @ 250µA50W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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FDU6N25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Features

UniFET™ Series


  • Lower on-state resistance

  • Better switching performance

  • Higher avalanche energy strength

  • Improved dv/dt capability

  • Available in the I-PAK package



Through Hole Mounting Type

Applications


  • ATX and electronic lamp ballasts

  • Power factor correction (PFC)

  • Flat-panel display (FPD) TV power


产品属性
全选
型号系列: UniFET™
包装: 散装
部件状态: 在售
场效应管类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏极至源极电压 (Vdss): 250 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 4.4A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 1.1 欧姆 @ 2.2A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 250 pF @ 25 V
最大功率耗散: 50W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商 设备封装: I-PAK
包装 / 盒: TO-251-3 短截引线,IPak
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

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收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

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