Renesas UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A
32M x 1820 ns0°C ~ 95°C（TC）
比较UPD48576218F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
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产品详情
Overview
UPD485506G5-25-7JF-A with pin details manufactured by NEC. The UPD485506G5-25-7JF-A is available in TSSOP44 Package, is part of the IC Chips.
UPD48576118FF-E18-DW1-A with EDA / CAD Models manufactured by Renesas. The UPD48576118FF-E18-DW1-A is available in BGA Package, is part of the IC Chips.
Features
Tray PackageVolatile Memory Type
DRAM Memory Format
LLDRAM2 Technology
576Mbit Memory Size
32M x 18 Memory Organization
HSTL Memory Interface
400 MHz Clock Frequency
20 ns Access Time
1.7V ~ 1.9V Voltage - Supply
0°C ~ 95°C (TC) Operating Temperature
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
产品属性
全选
包装: 托盘
部件状态: 停产
可编程: 未验证
存储器类型: 易失
存储器格式: DRAM
技术: LLDRAM2
存储容量: 576Mb
存储器组织: 32M x 18
存储器接口: HSTL
时钟频率: 400 MHz
访问时间: 20 ns
电源电压: 1.7V ~ 1.9V
工作温度: 0°C ~ 95°C（TC）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 144-TBGA
供应商器件封装: 144-TFBGA (11x18.5)
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.是Renesas Electronics Corporation在美国的子公司，负责在北美市场的设计、开发、销售和技术支持。总部位于加利福尼亚州圣何塞。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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