Renesas 2SJ621-T1B-AT
P 通道12 V3.5A（Ta）1.5V @ 1mA表面贴装型
比较2SJ621-T1B-AT
MOSFET P-CH 12V SC-96 SOT-23
￥0.08
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
1.8 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 44 m MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 2.0 A) RDS(on)2 = 56 m MAX. (VGS = 3.0 V, ID = 2.0 A) RDS(on)3 = 62 m MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 2.0 A) RDS(on)4 = 105 m MAX. (VGS = 1.8 V, ID = 1.5 A)
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
12 V Drain to Source Voltage (Vdss)
3.5A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
44mOhm @ 2A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
6.2 nC @ 4 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
630 pF @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 最后售卖
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.5A（Ta）
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 44 毫欧 @ 2A，4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 6.2 nC @ 4 V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 630 pF @ 10 V
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SC-96-3，薄型迷你型塑模
封装/外壳: SC-96
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.是Renesas Electronics Corporation在美国的子公司，负责在北美市场的设计、开发、销售和技术支持。总部位于加利福尼亚州圣何塞。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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