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SGS10N60RUFDTU

ON SGS10N60RUFDTU

600 V16 A141µJ(开),215µJ(关)-55°C ~ 150°C(TJ)TO-220-3 整包

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SGS10N60RUFDTU
IGBT 600V 16A TO220F
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Fairchild’s RUFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD series is designed for applications such as motor control, UPS and general inverters where short circuit ruggedness is a required feature.

Features

Tube Package
600 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
16 A Current - Collector (Ic) (Max)
30 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2.8V @ 15V, 10A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
55 W Power - Max
141µJ (on), 215µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
30 nC Gate Charge
15ns/36ns Td (on/off) @ 25°C
300V, 10A, 20Ohm, 15V Test Condition
60 ns Reverse Recovery Time (trr)
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 16 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 30 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.8V @ 15V,10A
最大功率: 55 W
开关能量: 141µJ(开),215µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 30 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 15ns/36ns
测试条件: 300V,10A,20 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 60 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商器件封装: TO-220F-3
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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