ON MCH6663-TL-W
MOSFET（金属氧化物）逻辑电平栅极，4V 驱动N 和 P 沟道30V1.8A，1.5A188 毫欧 @ 900mA，10V2.6V @ 1mA
比较MCH6663-TL-W
MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6
￥10.90
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
MCH6663-TL-W is a Complementary Dual Power MOSFET for General-Purpose Switching Device Applications
Features
Tape & Reel (TR) PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate, 4V Drive FET Feature
30V Drain to Source Voltage (Vdss)
1.8A, 1.5A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
188mOhm @ 900mA, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
2nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
88pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
产品属性
全选
包装: 卷带（TR）
部件状态: 停产
技术: MOSFET（金属氧化物）
FET 功能: 逻辑电平栅极，4V 驱动
配置: N 和 P 沟道
漏源电压（Vdss）: 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A，1.5A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 188 毫欧 @ 900mA，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 2.6V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 2nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 88pF @ 10V
最大功率: 800mW
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装: SC-88FL/MCPH6
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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