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HGTD7N60C3S9A

ON HGTD7N60C3S9A

600 V14 A165µJ(开),600µJ(关)-40°C ~ 150°C(TJ)TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

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HGTD7N60C3S9A
IGBT 600V 14A TO252AA
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

HGTD6N50E1 with pin details manufactured by INTERSIL. The HGTD6N50E1 is available in TO252 Package, is part of the IC Chips.

The HGTD7N60C3S is IGBT 600V 14A 60W TO252AA manufactured by HARRIS. The HGTD7N60C3S is available in TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Package, is part of the IGBTs - Single, , and with support for IGBT 600V 14A 60W TO252AA.

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • Collector Emitter Breakdown Voltage: 600V

  • Turn On Time: 20 ns

  • Turn Off Time-Nom (toff): 490 ns

  • Current - Collector Pulsed (Icm): 56A

  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 14 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 56 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2V @ 15V,7A
最大功率: 60 W
开关能量: 165µJ(开),600µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 23 nC
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: TO-252AA
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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