ON HGT1S10N120BNS
1200 V35 A320µJ（开），800µJ（关）-55°C ~ 150°C（TJ）TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
比较HGT1S10N120BNS
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
￥2.81
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
HGT1S10N120BNST is based on Non- Punch Through(NPT) IGBT designs. The IGBT is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential, such as UPS, solar inverter, motor control and power supplies.
Features
Tube Package
Typical Fall Time
17A, 1200V, TC = 110°C
Short Circuit Rating
Low Saturation Voltage
Low Conduction Loss
Surface Mount Mounting Type
Applications
UPS
Solar inverter
Motor control
Power supplies
运输
包装
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
IGBT 类型: NPT
最大集电极-发射极击穿电压: 1200 V
集电极电流 (Ic)（最大值）: 35 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 80 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.7V @ 15V，10A
最大功率: 298 W
开关能量: 320µJ（开），800µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 100 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 23ns/165ns
测试条件: 960V，10A，10 欧姆，15V
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装: D²PAK（TO-263）
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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