ON FGA30S120P
1300 V60 A-55°C ~ 175°C（TJ）TO-3P-3，SC-65-3
比较FGA30S120P
IGBT TRENCH/FS 1300V 60A TO3PN
面议
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
Using advanced field stop trench and shorted-anode technology, Fairchild’s shorted-anode trench IGBTs offer superior conduction and switching performances for soft switching applications. The device can operate in parallel configuration with exceptional avalanche capability. This device is designed for induction heating and microwave oven.
Features
Tube PackageHigh-Speed Switching
Low Saturation Voltage: VeE(eat)= 1.75V @lc=30A
High Input Impedance
RoHS Compliant
Applications
Induction Heating, Microwave Oven
运输
包装
相似产品
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 1300 V
集电极电流 (Ic)（最大值）: 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 150 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.3V @ 15V，30A
最大功率: 348 W
输入类型: 标准
栅极电荷: 78 nC
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装: TO-3PN
onsemi
onsemi（前称ON Semiconductor）是一家全球领先的半导体供应商，致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年，总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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