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FDZ1323NZ

ON FDZ1323NZ

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N 沟道(双)共漏20V10A13 毫欧 @ 1A,4.5V1.2V @ 250µA

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FDZ1323NZ
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This device is designed specifically as a single package solution for Li-Ion battery pack protection circuit and other ultra-portable applications. It features two common drain N-channel MOSFETs, which enables bidirectional current flow, on an advanced PowerTrench® process with state of the art“low pitch” WLCSP packaging process, the FDZ1323NZ minimizes both PCB space and rS1S2(on). This advanced WLCSP MOSFET embodies a breakthrough in packaging technology which enables the device to combine excellent thermal transfer characteristics, ultra-low profile packaging, lowgate charge and low rS1S2(on).

Features

PowerTrench® Series


  • only takes about 3 mm2 of PCB space.

  • When mounted to a PCB, an ultra-thin package has a height of less than 0.35 mm.

  • Ability to handle high power and current

  • 3.6 kV or above for HBM ESD protection (Note 3)

  • REACH Compliant



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • Battery administration

  • Charge switch

  • Battery security


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N 沟道(双)共漏
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 13 毫欧 @ 1A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.2V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 2055pF @ 10V
最大功率: 500mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-XFBGA,WLCSP
供应商器件封装: 6-WLCSP(1.3x2.3)
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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