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FDS6898A_NF40

ON FDS6898A_NF40

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)20V9.4A14 毫欧 @ 9.4A,4.5V1.5V @ 250µA

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FDS6898A_NF40
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8-SOIC
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产品详情

Overview

ON Semis PowerTrench® MOSFETS are optimised power switched that offer increased system efficiency and power density. They combine small gate charge, small reverse recovery and a soft reverse recovery body diode to contribute to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies. The soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

Features

PowerTrench® Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
9.4A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14mOhm @ 9.4A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
23nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1821pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 9.4A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 14 毫欧 @ 9.4A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1821pF @ 10V
最大功率: 900mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
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onsemi

onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

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