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FDM2509NZ

ON FDM2509NZ

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)20V8.7A18 毫欧 @ 8.7A,4.5V1.5V @ 250µA

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FDM2509NZ
MOSFET 2N-CH 20V 8.7A 2X5MLP
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产品详情

Overview

FDM21-05QC with pin details manufactured by IXYS. The FDM21-05QC is available in MODULE Package, is part of the Module, N-Channel 500V 21A (Tc) Through Hole ISOPLUS i4-PAC?, Trans MOSFET N-CH 500V 21A 5-Pin(5+Tab) ISOPLUS I4-PAC.

FDM2502 with circuit diagram manufactured by FAIRCHIL. The FDM2502 is available in MLP-8 Package, is part of the IC Chips.

Features

PowerTrench® Series
Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
8.7A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
18mOhm @ 8.7A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
17nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
1200pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
MicroFET 2x2 Thin Supplier Device Package
产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.7A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 18 毫欧 @ 8.7A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1.5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1200pF @ 10V
最大功率: 800mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-UDFN 裸露焊盘
供应商器件封装: MicroFET 2x2 薄型
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onsemi(前称ON Semiconductor)是一家全球领先的半导体供应商,致力于提供智能电源和传感技术。公司成立于1999年,总部位于美国亚利桑那州斯科茨代尔。onsemi的产品涵盖汽车、工业、电源管理和物联网等领域。

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