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RFD3055LESM9A

Intersil RFD3055LESM9A

N 通道60 V11A(Tc)3V @ 250µA38W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型

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Intersil
RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

Features

Tape & Reel (TR) Package


  • 11A, 60V

  • rDS(ON)= 0.107Ω

  • Temperature Compensating PSPICE? Model

  • Peak Current vs Pulse Width Curve

  • UIS Rating Curve



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations

  • Workstation

  • Server & Mainframe

  • Switching regulators

  • Switching converters


产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 5V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 107 毫欧 @ 8A,5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±16V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 350 pF @ 25 V
最大功率耗散: 38W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
Intersil

Intersil

Intersil Corporation是一家美国的半导体公司,专注于电源管理和高精度模拟解决方案。公司成立于1967年,1999年重组后成为一家独立公司,总部位于加利福尼亚州米尔皮塔斯。2017年,Intersil被Renesas Electronics收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z