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NDH8304P

Fairchild NDH8304P

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 个 P 沟道(双)20V2.7A70 毫欧 @ 2.7A,4.5V1V @ 250µA

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NDH8304P
MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

NDH8302 with pin details manufactured by FSC. The NDH8302 is available in SSOT8 Package, is part of the IC Chips.

The NDH8304 is MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8 manufactured by FSC. The NDH8304 is available in 8-SSOT, SuperSOT-8 Package, is part of the FETs - Arrays, , and with support for MOSFET 2P-CH 20V 2.7A SSOT8.

Features

Tape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
20V Drain to Source Voltage (Vdss)
2.7A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
70mOhm @ 2.7A, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs
1V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
23nC @ 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
865pF @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
800mW Power - Max
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
包装: 卷带(TR)
部件状态: 停产
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 个 P 沟道(双)
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.7A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 70 毫欧 @ 2.7A,4.5V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 1V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 23nC @ 4.5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 865pF @ 10V
最大功率: 800mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-LSOP(0.130",3.30mm 宽)
供应商器件封装: SuperSOT™-8
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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