Fairchild NDB6030L
N 通道30 V52A（Tc）3V @ 250µA75W（Tc）-65°C ~ 175°C（TJ）表面贴装型
比较NDB6030L
N-CHANNEL POWER MOSFET
￥2.08
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Features
Bulk PackageMOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
52A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
13.5mOhm @ 26A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
60 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±16V Vgs (Max)
1350 pF @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
75W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
运输
包装
产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 52A（Tc）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 4.5V，10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 13.5mOhm @ 26A, 10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±16V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1350 pF @ 15 V
最大功率耗散: 75W（Tc）
工作温度: -65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-263AB
封装/外壳: TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司，成立于1957年，总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案，2016年被ON Semiconductor收购。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
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配件发货: 25M+
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制造商: 950
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