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ISL9N310AD3

Fairchild ISL9N310AD3

N 通道30 V35A(Tc)3V @ 250µA70W(Ta)-55°C ~ 175°C(TJ)通孔

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ISL9N310AD3
N-CHANNEL POWER MOSFET
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

ISL9N308AD with pin details manufactured by FAIRCHILD. The ISL9N308AD is available in TO-252 Package, is part of the IC Chips.

ISL9N308AS3ST with EDA / CAD Models manufactured by FAIRCHILD. The ISL9N308AS3ST is available in TO-263 Package, is part of the IC Chips.

Features

UltraFET® Series
Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
30 V Drain to Source Voltage (Vdss)
35A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5V, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10Ohm @ 35A, 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
48 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
1800 pF @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
70W (Ta) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: UltraFET®
包装: 散装
部件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 35A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 10Ohm @ 35A, 10A
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 1800 pF @ 15 V
最大功率耗散: 70W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251(IPAK)
封装/外壳: TO-251-3 短截引线,IPak
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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