Fairchild IRFM120ATF
N 通道100 V2.3A（Ta）4V @ 250µA2.4W（Ta）-55°C ~ 150°C（TJ）表面贴装型
比较IRFM120ATF
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
￥9.50
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
Avalanche Rugged TechnologyRugged Gate Oxide TechnologyLower Input CapacitanceImproved Gate Charge
Features
Bulk PackageAvalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current : 10 #A (Max.) @ VDS = 100V
Lower RDS(ON) : 0.155 ! (Typ.)
Applications
Power Management
Consumer Electronics
Portable Devices
Industrial
运输
包装
产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A（Ta）
最大驱动电压（Rds 开启），最小驱动电压（Rds 开启）: 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 200 毫欧 @ 1.15A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 480 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2.4W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-4
封装/外壳: TO-261-4，TO-261AA
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司，成立于1957年，总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案，2016年被ON Semiconductor收购。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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