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IRFM120A

Fairchild IRFM120A

N 通道100 V2.3A(Ta)4V @ 250µA2.4W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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IRFM120A
N-CHANNEL POWER MOSFET
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

IRFM110 with pin details manufactured by FAIRCHILD. The IRFM110 is available in SOT-223 Package, is part of the IC Chips.

IRFM110ATF with circuit diagram manufactured by FAIRCHILD. The IRFM110ATF is available in SOT-223 Package, is part of the IC Chips.

Features

Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
100 V Drain to Source Voltage (Vdss)
2.3A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
200mOhm @ 1.15A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
22 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
480 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2.4W (Ta) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.3A(Ta)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 200 毫欧 @ 1.15A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 4V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 480 pF @ 25 V
最大功率耗散: 2.4W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-223-4
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

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收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

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配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

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