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FDS6900S

Fairchild FDS6900S

MOSFET(金属氧化物)逻辑电平门2 N-通道(双)30V6.9A (Ta), 8.2A (Ta)30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V3V @ 250µA,3V @ 1mA

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FDS6900S
N-CHANNEL POWER MOSFET
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博斯克质量保证

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产品详情

Features

PowerTrench® Series
Bulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
30V Drain to Source Voltage (Vdss)
6.9A (Ta), 8.2A (Ta) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA, 3V @ 1mA Vgs(th) (Max) @ Id
11nC @ 5V, 17nC @ 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
771pF @ 15V, 1238pF @ 15V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
900mW (Ta) Power - Max
Surface Mount Mounting Type
产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 散装
部件状态: 在售
技术: MOSFET(金属氧化物)
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.9A (Ta), 8.2A (Ta)
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 30mOhm @ 6.9A, 10V, 22mOhm @ 8.2A, 10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA,3V @ 1mA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 11nC @ 5V, 17nC @ 5V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 771pF @ 15V, 1238pF @ 15V
最大功率: 900mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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