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FDPF15N65

Fairchild FDPF15N65

N 通道650 V15A(Tc)5V @ 250µA38.5W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)通孔

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FDPF15N65
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
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博斯克质量保证

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产品详情

Overview

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

Features

UniFET™ Series


·Rps(on)=360mΩ(Typ.)@VGs=10Vp=7.5A.LowGate Charge(Typ.48.5nC)

·Low Crss(Typ.23.6pF)100% Avalanche Tested

 

Through Hole Mounting Type

Applications


·LCD/LED/PDP TV and Monitor

·Uninterruptible Power Supply

 

  

 


 




产品属性
全选
型号系列: UniFET™
包装: 散装
部件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 440 毫欧 @ 7.5A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 5V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±30V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 3095 pF @ 25 V
最大功率耗散: 38.5W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220F-3
封装/外壳: TO-220-3 整包
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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