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FDC8886

Fairchild FDC8886

N 通道30 V6.5A(Ta),8A(Tc)3V @ 250µA1.6W(Ta)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型

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FDC8886
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on) switching performance.

Features

PowerTrench® Series


  • Low gate charge

  • Low RDS (on)

  • Low on-state resistance

  • Superior switching performance

  • Available in the SuperSOT-6 package



Surface Mount Mounting Type

Applications


  • low-voltage and battery-powered applicatoins

  • Uiniterruptible power supplies

  • Synchronous rectification


产品属性
全选
型号系列: PowerTrench®
包装: 散装
部件状态: 在售
场效应管类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏极至源极电压 (Vdss): 30 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C: 6.5A(Ta),8A(Tc)
最大驱动电压(Rds 开启),最小驱动电压(Rds 开启): 4.5V,10V
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 23 毫欧 @ 6.5A,10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
最大栅极源电压: ±20V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 465 pF @ 15 V
最大功率耗散: 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商 设备封装: SuperSOT™-6
包装 / 盒: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor是一家领先的半导体公司,成立于1957年,总部位于美国加利福尼亚州圣何塞。公司专注于电源管理和模拟半导体解决方案,2016年被ON Semiconductor收购。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

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