联系我们
中文
VNB35NV04TR-E

ST VNB35NV04TR-E

通用1不需要30A

比较
VNB35NV04TR-E
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
比较

¥51.00

价格更新:一个月前

博斯克质量保证

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
产品详情

Overview

The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronicsVIPowerM0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications.

Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

Features

OMNIFET II™, VIPower™ Series


VIPower® M0-3 Technology

Package: D2PAK

Short circuit protection

Overvoltage clamp protection

Low current drawn from input pin



D2PAK Supplier Device Package

Applications


Varistor

Analog circuits and digital circuits


产品属性
全选
型号系列: OMNIFET II™, VIPower™
包装: 卷带(TR)
部件状态: 在售
开关类型: 通用
输出数: 1
输入输出比: 1:1
输出配置: 低端
输出类型: N 通道
接口: 开/关
负载电压: 36V(最大)
电源电压(Vcc/Vdd): 不需要
电流 - 输出(最大值): 30A
典型通态电阻: 13 毫欧(最大)
输入类型: 非反相
故障保护: 限流(固定),超温,过压
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z