ST STL7DN6LF3
MOSFET（金属氧化物）逻辑电平门2 N-通道（双）60V20A43 毫欧 @ 3A，10V3V @ 250µA
比较STL7DN6LF3
MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6
￥6.89
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This device is a dual N-channel Power MOSFET developed using STripFET F3 technology. It is designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.
Features
Tape & Reel (TR) Package? Designed for automotive application and
AEC-Q101 qualified
? Logic level VGS(th)
? 175 ??C junction temperature
? 100% avalanche rated
? Wettable flank package
Applications
? Switching applications
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III
包装: 卷带（TR）
部件状态: 在售
技术: MOSFET（金属氧化物）
FET 功能: 逻辑电平门
配置: 2 N-通道（双）
漏源电压（Vdss）: 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A
漏极电流和栅极至源极电压下的最大导通电阻: 43 毫欧 @ 3A，10V
漏极电流下的最大栅极阈值电压: 3V @ 250µA
最大栅极电荷 (Qg) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vds 时的最大输入电容 (Ciss): 432pF @ 25V
最大功率: 52W
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerVDFN
供应商器件封装: PowerFlat™（5x6）
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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