ST STGP3NC120HD
1200 V14 A236µJ（开），290µJ（关）-55°C ~ 150°C（TJ）TO-220-3
比较STGP3NC120HD
IGBT 1200V 14A 75W TO220
￥2.50
价格更新：一个月前博斯克质量保证
产品详情
Overview
This high voltage and very fast IGBT shows an excellent trade-off between low conduction losses and fast switching performance. It is designed in PowerMESH? technology combined with high voltage ultrafast diode.
Features
PowerMESH™ SeriesHigh speed
High voltage capability
Very soft ultrafast recovery anti-parallel diode
Applications
Lighting
Home appliance
运输
包装
产品属性
全选
型号系列: PowerMESH™
包装: 管件
部件状态: 在售
最大集电极-发射极击穿电压: 1200 V
集电极电流 (Ic)（最大值）: 14 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 20 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.8V @ 15V，3A
最大功率: 75 W
开关能量: 236µJ（开），290µJ（关）
输入类型: 标准
栅极电荷: 24 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 15ns/118ns
测试条件: 800V，3A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr): 51 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
STMicroelectronics
STMicroelectronics（ST）是一家领先的半导体公司，成立于1987年，总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案，应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。
实时新闻
博斯克数字
收入: 85M
2022年的收入为8500万美元，与2021年增长63%。
国家: 105
博斯克服务全球105个国家的客户。
配件发货: 25M+
我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件，比前五年增长148%。
制造商: 950
2022年，博斯克从近950个制造商售卖了配件。
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