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STGP30H60DF

ST STGP30H60DF

600 V60 A350µJ(开),400µJ(关)-40°C ~ 175°C(TJ)TO-220-3

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STGP30H60DF
IGBT 600V 60A 260W TO220
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价格更新:一个月前

博斯克质量保证

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产品详情

Overview

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.

Features

Tube Package
Trench Field Stop IGBT Type
600 V Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 A Current - Collector (Ic) (Max)
120 A Current - Collector Pulsed (Icm)
2.4V @ 15V, 30A Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
260 W Power - Max
350µJ (on), 400µJ (off) Switching Energy
Standard Input Type
105 nC Gate Charge
50ns/160ns Td (on/off) @ 25°C
400V, 30A, 10Ohm, 15V Test Condition
110 ns Reverse Recovery Time (trr)
Through Hole Mounting Type
产品属性
全选
包装: 管件
部件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
最大集电极-发射极击穿电压: 600 V
集电极电流 (Ic)(最大值): 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
栅极-发射极电压和集电极电流时的最大集电极-发射极导通电压: 2.4V @ 15V,30A
最大功率: 260 W
开关能量: 350µJ(开),400µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 105 nC
25°C 时的开/关延迟时间: 50ns/160ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 110 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
STMicroelectronics

STMicroelectronics

STMicroelectronics(ST)是一家领先的半导体公司,成立于1987年,总部位于瑞士日内瓦。公司提供多种半导体解决方案,应用于汽车、工业、个人电子和通信等领域。ST的产品组合包括微控制器、传感器、模拟IC和电源管理芯片等。

实时新闻

博斯克数字

收入: 85M

2022年的收入为8500万美元,与2021年增长63%。

国家: 105

博斯克服务全球105个国家的客户。

配件发货: 25M+

我们在过去的五年中发货了2.5亿个配件,比前五年增长148%。

制造商: 950

2022年,博斯克从近950个制造商售卖了配件。

所有产品零件号 0 - Z